[发明专利]一种无机相变光刻胶和基于无机相变光刻胶的光刻工艺在审
| 申请号： | 201410058686.X | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103809376A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 刘前 | 申请（专利权）人： | 苏州华维纳纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/20 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 丁秀华 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种无机相变光刻胶，所述无机相变光刻胶为锗锑锡碲化合物，其通式为Ge2Sb2(1-x)Sn2xTe5，并且0<x<0.3。该无机相变光刻胶对单晶硅片和二氧化硅片具有高抗刻蚀比，在该光刻胶(非晶态)上可以通过激光直写或者曝光获得晶态的图形，并且在酸性溶液中呈现负的光刻胶特性。而基于该无机相变光刻胶的光刻工艺，其制备方法简单方便、无污染，而且不需要有机光刻胶所需要的特殊光环境，无需使用特定波长激光，可在非真空或真空中实现。体现出了生产周期短周期短，成本低，产率高，工艺简单可控，易于实现工业化生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 相变 光刻 基于 工艺 | ||
【主权项】：
一种无机相变光刻胶，其特征在于：所述无机相变光刻胶为锗锑锡碲化合物，其通式为Ge2Sb2(1‑x)Sn2xTe5，并且0<x<0.3。
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