[发明专利]晶片提升方法在审
| 申请号： | 201410059828.4 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN104867858A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 管长乐 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的晶片提升方法，其用于在工艺过程结束后利用顶针顶起晶片，以使晶片脱离静电卡盘，该方法包括以下步骤：10）在静电卡盘的电极上施加与其工作时的电压极性相反的反向电压，以减小晶片与静电卡盘之间的静电引力；20）顶针自最低位置上升至中间位置，以顶起晶片，从而使晶片下表面与静电卡盘上表面之间具有预定间隙；30）向反应腔室内通入气体，并开启激励电源，以激发该气体形成等离子体，从而消除残留在晶片上下表面以及静电卡盘上表面上的电荷；40）顶针自所述最低位置上升至预设的最高位置。本发明提供的晶片提升方法，其可以减少提升晶片时出现偏离或掉片的几率，从而可以提高生产效率和产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 提升 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片提升方法，用于在工艺过程结束后利用顶针顶起晶片，以使晶片脱离静电卡盘，其特征在于，该方法包括以下步骤：10）在所述静电卡盘的电极上施加与其工作时的电压极性相反的反向电压，以减小晶片与静电卡盘之间的静电引力；20）顶针自最低位置上升至中间位置，以顶起晶片，从而使晶片下表面与静电卡盘上表面之间具有预定间隙；30）向反应腔室内通入气体，并开启激励电源，以激发该气体形成等离子体，从而消除残留在晶片上下表面以及静电卡盘上表面上的电荷；40）顶针自所述最低位置上升至预设的最高位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410059828.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高散热性能的SMT二极管封装结构
- 下一篇：蚀刻方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
