[发明专利]一种应用于FINFET结构的化学机械研磨方法在审
| 申请号： | 201410059974.7 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103871897A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 丁弋;朱也方;严钧华;王从刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3065;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种应用于FINFET结构的化学机械研磨方法，包括：研磨掉氮化硅上的氧化物；研磨氧化物和氮化硅，并收集电机的扭矩电流信号；当扭矩电流信号突变时，抓取研磨终点，停止在缓冲垫氧化层上；予以一定量的过研磨时间，完成研磨，形成FinFET结构。本发明的技术方案简便易行，利用化学机械研磨可以完全去除氮化硅，并停止在缓冲垫氧化层上，达到无需湿法对氮化硅的去除，无需湿法/干法刻蚀对氧化物的去除的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 finfet 结构 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于FinFET结构的化学机械研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供待研磨晶圆，所述晶圆的STI区域由底部至顶部依次设有缓冲垫氧化层、氮化硅和氧化物，所述晶圆的其他区域由底部至顶部依次设有缓冲垫氧化层和氧化物层，位于STI区域的缓冲垫氧化层的顶部高于其他区域中的缓冲垫氧化层的顶部；步骤2，研磨掉氮化硅上的氧化物；步骤3，研磨氧化物和氮化硅，并收集电机的扭矩电流信号；步骤4，当扭矩电流信号突变时，抓取研磨终点，停止在缓冲垫氧化层上；步骤5，予以一定量的过研磨时间，完成研磨，形成FinFET结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410059974.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
