[发明专利]一种低介电常数薄膜的成膜方法无效
| 申请号： | 201410060266.5 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103871963A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 桑宁波;雷通;贺忻;方精训 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属互连工艺，尤其涉及一种低介电常数薄膜的成膜方法。所述方法包括以下步骤：提供一晶圆衬底；在晶圆衬底的上表面制备有一第一金属互连层；在衬底上由下至上依次制备含有至少三层含有致孔剂的绝缘膜；对至少三层绝缘膜进行紫外线处理，以将致孔剂从至少三层的绝缘膜中去除；进行刻蚀工艺形成大马士革结构；制备第二金属互连层形成金属互连结构；其中，至少三层含有致孔剂的绝缘膜中，各层绝缘膜中的致孔剂的含量从最上层和最下层的绝缘膜开始逐渐向位于中间层的绝缘膜递增。本发明通过引入含量不同的致孔剂的掺碳薄膜组合进行沉积，在获得较低介电常数的同时增加了薄膜硬度，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数薄膜的成膜方法，应用于金属互连工艺中，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一晶圆衬底；在所述晶圆衬底的上表面制备有一第一金属互连层；在所述衬底上由下至上依次制备含有至少三层含有致孔剂的绝缘膜；对所述至少三层绝缘膜进行紫外线处理，以将所述致孔剂从所述至少三层的绝缘膜中去除；进行刻蚀工艺形成大马士革结构；制备第二金属互连层形成金属互连结构；其中，所述至少三层含有致孔剂的绝缘膜中，各层绝缘膜中的致孔剂的含量从最上层和最下层的绝缘膜开始逐渐向位于中间层的绝缘膜递增。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
