[发明专利]一种检测多晶硅残留的测试结构

摘要

本发明公开了一种检测多晶硅残留的测试结构，包括高压测试焊盘、低压测试焊盘、金属线和多晶硅组排；多晶硅组排包括若干纵向平行排列的多晶硅和若干横向平行排列的多晶硅，部分若干横向平行排列的多晶硅通过一第一金属线与低压测试焊盘连接，其余若干横向平行排列的多晶硅通过一第二金属线与高压测试焊盘连接；部分若干纵向平行排列的多晶硅通过第一金属线与低压测试焊盘连接，其余若干纵向平行排列的多晶硅通过第二金属线与高压测试焊盘连接；通过本发明的使用，多晶硅残留的检测对于半导体制程是非常关键的技术，对于提高产品的良率和可靠性非常重要。新设计的测试结构在晶圆端可以进行有效检测，及时发现和改善工艺条件，降低品质风险成本。

主权项

一种检测多晶硅残留的测试结构，其特征在于，包括高压测试焊盘、低压测试焊盘、金属线和多晶硅组排；所述多晶硅组排包括若干纵向平行排列的多晶硅和若干横向平行排列的多晶硅，部分所述若干横向平行排列的多晶硅通过一第一金属线与所述低压测试焊盘连接，其余所述若干横向平行排列的多晶硅通过一第二金属线与所述高压测试焊盘连接；部分所述若干纵向平行排列的多晶硅通过所述第一金属线与所述低压测试焊盘连接，其余所述若干纵向平行排列的多晶硅通过所述第二金属线与所述高压测试焊盘连接；其中，在所述若干纵向平行排列的多晶硅中，与所述高压测试焊盘连接的多晶硅和与所述低压测试焊盘连接的多晶硅之间为间隔分布；在若干横向平行排列的多晶硅中，与所述高压测试焊盘连接的多晶硅和与所述低压测试焊盘连接的多晶硅之间为间隔分布。