[发明专利]一种贵金属-半导体复合结构微纳颗粒、制备方法、应用

摘要

本发明公开了一种贵金属-半导体复合结构微纳颗粒、制备方法、应用，该制备方法包括将半导体反应结构置于含有贵金属盐成分的溶液中，使脉冲激光光束通过聚焦透镜后聚焦在半导体反应结构与溶液接触的表面，从而在半导体反应结构的表面产生等离子体羽。反应过程中需要有两束（或多束）激光共同（或联动）作用在同一个反应区域，一部分激光束为完全聚焦状态，用于烧蚀，另一部分激光束用于辐照与诱导复合。在进行脉冲激光烧蚀的同时，使半导体反应结构旋转，以使反应变得更加均匀。由上述方法制备的具有特定独特贵金属-半导体复合结构微纳颗粒可应用于微电子加工、光学、生物学、催化化学、或医学等领域。

主权项

一种贵金属‑半导体复合结构微纳颗粒的制备方法，其特征在于，步骤如下：将半导体反应结构置于含有贵金属盐成分的溶液中，若干束脉冲激光光束透过聚焦透镜后聚焦在该半导体反应结构的表面，通过激光烧蚀令半导体反应结构的表面物质熔融并进而在此半导体反应结构的上表面形成等离子羽，若干束脉冲激光光束透过聚焦透镜后辐照在半导体反应结构的表面，在上述等离子羽周围通过激光析出作用将贵金属组分从溶液中析出，并在激光的诱导作用下附着在半导体微纳颗粒的表面，所述半导体微纳颗粒是通过激光作用于半导体反应结构上而生成的；一段时间后，停止脉冲激光照射半导体反应结构，将反应产物取出抽滤透析、分离和干燥后，即制得贵金属‑半导体复合结构微纳颗粒。