[发明专利]X射线与光学图像传感器以及其成像系统及制作方法有效

专利信息
申请号: 201410063553.1 申请日: 2014-02-25
公开(公告)号: CN104434152B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 多米尼克·马塞提;郑宇 申请(专利权)人: 豪威科技股份有限公司
主分类号: G01T1/24 分类号: G01T1/24;A61B6/00;G01N23/04
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 齐杨
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请案涉及一种X射线与光学图像传感器以及其成像系统及制作方法。一种用于捕获X射线图像数据及光学图像数据的图像传感器包含X射线吸收层及安置于半导体层中的多个光电二极管。所述X射线吸收层经配置以响应于接收到X射线辐射而发射光子。安置于所述半导体层中的所述多个光电二极管经光学耦合以接收图像光以产生所述光学图像数据,且经光学耦合以从所述X射线吸收层接收光子以产生X射线图像数据。
搜索关键词: 射线 光学 图像传感器 及其 成像 系统 制作方法
【主权项】:
一种用于捕获物体的X射线图像数据及所述物体的光学图像数据的图像传感器,所述图像传感器包括:X射线吸收层,其经配置以响应于接收到所述物体的X射线辐射而发射光子;及多个光电二极管,其安置于具有与第二侧相对的第一侧的半导体层中,其中所述多个光电二极管经光学耦合以接收所述物体的图像光以产生所述光学图像数据,且其中所述多个光电二极管经光学耦合以从所述X射线吸收层接收所述光子以产生所述X射线图像数据,所述多个光电二极管经定位以接收来自所述X射线吸收层的穿过所述半导体层的所述第二侧的所述光子,且经定位以接收穿过所述半导体层的所述第一侧的所述图像光,其中所述图像传感器经配置以接收在所述图像传感器外部传播的所述图像光,且其中所述X射线吸收层经定位以位于所述半导体层的所述第二侧;以及一或多个微透镜,其经定位以位于所述半导体层的所述第一侧,其中所述X射线辐射和所述图像光传播穿过所述一或多个微透镜,且其中所述微透镜将所述图像光聚焦到所述多个光电二极管。
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