[发明专利]减少锗硅源漏区外延工艺中的颗粒缺陷的方法有效
| 申请号： | 201410064092.X | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104867821B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C30B25/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种减少锗硅源漏区外延工艺中的颗粒缺陷的方法，包括：a.在半导体基板上的源极区或漏极区的凹槽中沉积锗硅膜层，其中所述锗硅膜层包括基板上沉积的第一锗硅膜层和所述第一锗硅膜层上沉积的第二锗硅膜层，且所述源极区或漏极区的凹槽的侧边具有栅极；b.在上述步骤a所形成的结构的表面上沉积一盖层；以及c.在氯化氢气体的气氛中进行化学烘烤。本发明可以有效消除该外延工艺过程中产生的不期望的球状锗硅缺陷，提高产品良率和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅 膜层 沉积 外延工艺 颗粒缺陷 锗硅源漏 漏极区 源极区 半导体基板 氯化氢气体 产品良率 生产效率 烘烤 侧边 盖层 基板 期望 | ||
【主权项】：
一种减少锗硅源漏区外延工艺中的颗粒缺陷的方法，包括：a.在半导体基板上的源极区或漏极区的凹槽中沉积锗硅膜层，其中所述锗硅膜层包括基板上沉积的第一锗硅膜层和所述第一锗硅膜层上沉积的第二锗硅膜层，且所述源极区或漏极区的凹槽的侧边具有栅极；b.在上述步骤a所形成的结构的表面上沉积一盖层，所述盖层仅覆盖所述第二锗硅膜层和所述颗粒缺陷；以及c.在氯化氢气体的气氛中进行化学烘烤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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