[发明专利]基于基元电容的存储基元和用于操作存储基元的方法

摘要

本发明涉及一种基于基元电容的存储基元和用于操作存储基元的方法。一种存储基元和用于操作存储基元的方法包括在电气上串联耦合的双向存取器件和存储元件。所述双向存取器件包括隧穿电容。所述存储元件可通过施加极性彼此相反的第一和第二写入电压而编程为第一和第二状态。所述存储元件在所述第一状态的电容低于在所述第二状态的电容。读取单元读出由于施加读取电压时的压降所导致的瞬时读取电流。基于所述读取电流是大于还是小于读出阈值，判定所述存储元件是所述第一还是第二状态。所述读出阈值基于所述第一和第二状态之间的电容比率。

主权项

一种存储基元，包括：双向存取器件，其包括隧穿电容；存储元件，其在电气上与所述双向存取器件串联耦合，可将所述存储元件编程为第一状态和第二状态之一，所述存储元件在所述第一状态具有第一电容并且在所述第二状态具有第二电容，所述第一电容低于所述第二电容，可通过施加第一写入电压将所述存储元件编程为所述第一状态，并且可通过施加与所述第一写入电压极性相反的第二写入电压将所述存储元件编程为所述第二状态；以及读取单元，其被配置为读出由于施加读取电压时跨所述存储元件和所述双向存取器件的压降所导致的瞬时读取电流，其中所述读取单元包括用于判定所述存储元件是被编程为所述第一状态还是所述第二状态的读出阈值，所述读出阈值基于所述第一电容与所述第二电容之间的比率，其中进一步基于所述存取器件和所述存储元件的电容比率确定所述读出阈值。