[发明专利]嵌入的基于SONOS的存储单元

摘要

本发明公开了嵌入的基于SONOS的存储单元。描述了包括嵌入的基于SONOS的非易失性存储（NVM）晶体管和MOS晶体管的多个存储单元及其形成方法。通常，该方法包括：在衬底上形成电介质叠层，电介质叠层包含衬底上的隧道电介质，和在隧道电介质上的电荷捕获层；图案化电介质叠层，以在衬底的第一区域中形成存储器件的NVM晶体管的栅极叠层，同时并发地从衬底的第二区域去除电介质叠层；以及进行基准CMOS工艺流程的栅极氧化处理，以热生长覆盖第二区域中的衬底的MOS晶体管的栅极氧化物，同时并发地生长覆盖电荷捕获层的阻挡氧化物。在一个实施方式中，通过植入铟来形成NVM晶体管的沟道。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成电介质叠层，所述电介质叠层包含在所述衬底上的隧道电介质以及在所述隧道电介质上的电荷捕获层、在所述电荷捕获层上的帽层，和在所述帽层上的牺牲氧化物；图案化所述电介质叠层，以在所述衬底的第一区域中形成存储器件的非易失性存储NVM晶体管的栅极叠层，同时并发地从所述衬底的第二区域去除所述电介质叠层；进行栅极氧化GOX预清洗，以从所述栅极叠层去除所述牺牲氧化物和所述帽层的至少顶部部分，同时并发地从所述第二区域去除衬垫氧化物；以及进行基准CMOS工艺流程的栅极氧化处理，以形成覆盖所述第二区域中的所述衬底的金属氧化物半导体MOS晶体管的栅极氧化物，同时并发地氧化所述帽层的至少剩余底部部分以形成覆盖所述电荷捕获层的阻挡氧化物。