[发明专利]一种利用应力改善镁基氢化物释氢热力学的方法无效

专利信息
申请号: 201410065017.5 申请日: 2014-02-26
公开(公告)号: CN103882396A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 张健;毛聪;华熳煜 申请(专利权)人: 长沙理工大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410114 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明属于氢储存技术领域,具体涉及一种利用应力改善镁基氢化物释氢热力学的方法。该方法以磁致伸缩材料作为第二相,采用磁控溅射法制备镁基氢化物与磁致伸缩材料交替沉积的纳米多层薄膜,并在薄膜周围施加维数、强度、方向及各向同/异性可变的外加磁场,利用磁致伸缩材料的伸缩效应在多层膜间诱生出属性(包括单/双/三轴、不同大小、拉/压、各向同/异性)可控的界面应力,使其作用于镁基氢化物,导致其晶格畸变甚至相变而呈现为稳定性降低的亚稳结构,进而实现降低镁基氢化物释氢反应焓与释氢温度的目的。本发明所使用的原材料容易获得,材料制备方法发展成熟,且其操作方便、过程可控,是一种有效改善镁基氢化物释氢热力学性能的方法。
搜索关键词: 一种 利用 应力 改善 氢化物 热力学 方法
【主权项】:
一种利用应力改善镁基氢化物释氢热力学的方法,其特征在于:材料结构为磁致伸缩材料1与镁基氢化物2交替沉积的n[镁基氢化物/磁致伸缩材料]纳米多层薄膜结构,且在多层薄膜周围施加维数(一维/二维/三维)、强度、方向及各向同/异性可变的外加磁场。
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