[发明专利]一种LED制备方法、LED和芯片

摘要

本发明提供一种LED制备方法、LED和芯片，方法包括在衬底上生成缓冲层；在缓冲层上依次生长非掺杂的氮化镓层和N型氮化镓层；在N型氮化镓层上生长至少一个量子阱结构；在最后生成的量子阱结构上生长电子阻挡层；在电子阻挡层上生长至少一层插入层，插入层由P型氮化镓层和铟铝镓氮层组成，铟铝镓氮层生长在P型氮化镓层之上；在最后生成的插入层上生长P型氮化镓层。本发明制备的LED具有高载流子迁移率插入层，空穴在此层能够充分迁移和扩散，因此能够提高空穴的注入效率，从而有效降低工作电压，LED发光效率增强，而且提高了空穴在P型层的分布均匀性，使得发光更加均匀，在该层电流能够扩散充分，有效提高了器件的抗静电能力。

主权项

一种LED制备方法，其特征在于，包括：在衬底上通过金属源和氨气反应生成缓冲层；在所述缓冲层上依次生长非掺杂的氮化镓层和N型氮化镓层；在所述N型氮化镓层上生长至少一个量子阱结构，其中，所述量子阱结构由量子垒层和量子阱层组成，所述量子阱层生长在所述量子垒层之上；在生成的所述量子阱结构上生长电子阻挡层；在所述电子阻挡层上生长至少一层插入层，所述至少一层插入层由铟铝镓氮层和P型氮化镓层组成，且使铟铝镓氮层生长在所述P型氮化镓层之上；在生成的所述插入层上生长P型氮化镓层；所述在所述电子阻挡层上生长至少一层插入层，包括：步骤A、控制温度900‑1100℃，压力为200‑600mbar，通入镓源化合物、P型杂质和氨气，在所述电子阻挡层上生长所述P型氮化镓层；步骤B、控制温度在900‑1100℃，压力为200‑600mbar，通入镓源化合物、铝源化合物、铟源化合物、P型杂质和氨气，在所述P型氮化镓层上生长所述铟铝镓氮层；步骤C、根据确定的插入层的层数重复步骤A和B，所述插入层的层数为1‑20层。