[发明专利]一种中红外非线性光学晶体材料Rb2CdBr2I2及其制备方法有效
| 申请号： | 201410066301.4 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103774223A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吴奇;秦金贵 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B7/04;G02F1/355 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种无机中红外非线性光学晶体材料，其化学式为Rb2CdBr2I2，上述材料的晶体空间群为Ama2，晶胞参数为a=11.764(8)Å,b=12.025(8)Å,c=8.446(6)Å,α=β=γ=90°,Z=4。本发明还提供了上述晶体材料的制备方法，本发明制得的晶体材料具有以下特点：1.具有较强的能相位匹配的倍频效应（SHG)，Kurtz粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应为磷酸二氢钾（KDP)的4倍；2.激光损伤阈值达到190MW/cm2,是目前的商用的中红外非线性光学晶体材AgGaS2的激光损伤阈值的6倍。3.化合物在可见光区和中红外光区有很宽的透过范围，完全透过波段为0.4-14微米；4.不含结晶水，对空气稳定，且热稳定性较好；5.可利用简单的溶剂挥发法制备单晶材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 非线性 光学 晶体 材料 rb sub cdbr 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中红外非线性光学晶体材料，其特征在于：化学式为Rb2CdBr2I2，晶体空间群为Ama2，晶胞参数为a=11.764(8)
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