[发明专利]氧化锌基非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201410066494.3 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103840011A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 尹盛;李小月;徐东 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/227;H01L29/22;H01L21/34 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 梁鹏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化锌基非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法。该晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；栅极于衬底上形成，栅绝缘层覆盖栅极和衬底，有源层于栅绝缘层上形成，与栅极对应，源极和漏极分别覆盖有源层的两端；有源层为掺X和Y的氧化锌基非晶氧化物半导体，随着与栅绝缘层距离的增大，X的含量逐渐降低，Y的含量逐渐升高，其中，X为Cd、In、Sn、Sb、Ti、Pb和As中的一种，Y为Ga、Al、Hf、Ge、Ca和Cu中的一种。本发明能有效提高器件的迁移率和工作电流，减小器件的阈值电压漂移，降低器件受工艺、光照及外界气体的影响，并提高器件的机械稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 基非晶 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锌基非晶氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底、栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；所述栅极于所述衬底上形成，所述栅绝缘层覆盖所述栅极和所述衬底，所述有源层于所述栅绝缘层上形成，与所述栅极对应，所述源极和漏极分别覆盖所述有源层的两端；所述有源层为掺X和Y的氧化锌基非晶氧化物半导体，随着与所述栅绝缘层距离的增大，X的含量逐渐降低，Y的含量逐渐升高，其中，X为Cd、In、Sn、Sb、Ti、Pb和As中的一种，Y为Ga、Al、Hf、Ge、Ca和Cu中的一种。
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