[发明专利]一种晶体硅低表面浓度发射极的实现方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅低表面浓度发射极的实现方法，包括预氧化沉积、第一次沉积、第二次沉积、后处理和推进五个步骤，其中第一次沉积：在740～840℃条件下，通入反应气体POCl₃、N₂和O₂，所述POCl₃和O₂气体流量比为1:1～12，所述N₂流量为3～20slm，沉积1～20min，在预沉积的基础上沉积一层均匀的磷源层；第二次沉积：在760～860℃条件下，通入反应气体POCl₃、N₂和O₂，所述POCl₃和O₂气体流量比为1:1～9，所述N₂流量为3～30slm，沉积3～30min，在第一层磷源层上再沉积第二层均匀的磷源层。本发明有利于形成优良的低表面浓度发射极，且成本低。

主权项

一种晶体硅低表面浓度发射极的实现方法，其特征在于，包括预氧化沉积、第一次沉积、第二次沉积、后处理和推进五个步骤，具体步骤如下：（1）预氧化沉积：在750～830℃条件下，通入反应气体POCl₃、N₂和O₂，所述POCl₃和N₂气体流量比为1:3～25；所述O₂流量为300～3000sccm，预沉积1～20min，在已清洗制绒的硅片表面沉积一层磷硅玻璃层；（2）第一次沉积：在740～840℃条件下，通入反应气体POCl₃、N₂和O₂，所述POCl₃和O₂气体流量比为1:1～12，所述N₂流量为3～20slm，沉积1～20min，在预沉积的基础上沉积一层均匀的磷源层；（3）第二次沉积：在760～860℃条件下，通入反应气体POCl₃、N₂和O₂，所述POCl₃和O₂气体流量比为1:1～9，所述N₂流量为3～30slm，沉积3～30min，在第一层磷源层上再沉积第二层均匀的磷源层；（4）后处理：在760～860℃条件下，通入反应气体N₂和O₂，所述O₂流量为100～8000sccm，所述N₂流量为3～30slm，持续时间为1～20min，形成扩散推进缓冲层；（5）推进：在800～900℃条件下，通入反应气体N₂和O₂，所述O₂流量为30～6000sccm，持续时间为6～60min，形成低表面浓度发射极。