[发明专利]一种混合存储器结构的低功耗刷新方法

摘要

本发明提供了一种混合存储器结构的低功耗刷新方法，当DRAM处于非繁忙状态，运行在温度敏感模式下，非易失性存储器中的存储单元替代当前温度范围内中检测到的最差存储单元，重新配置所述DRAM刷新周期；如果在某一时刻检测到当前温度变化到另一温度范围，那么更新最差存储单元信息，更新刷新周期；如果DRAM运行在温度不敏感模式，非易失性存储器中的存储单元替代检测到的最差存储单元，重新配置DRAM的刷新周期；如果在某一时刻DRAM运行温度超过规定值时，DRAM会由低功耗刷新模式切换回常规刷新模式。本发明的技术方案实现了刷新周期的提高，节省了刷新功耗，并且基本不影响原DRAM的存储与读取性能。

主权项

一种混合存储器结构的低功耗刷新方法，所述混合存储器结构包括DRAM、非易失性存储器和逻辑检测模块，以及可在所述混合存储器上配置的温度传感器，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，检测所述DRAM内部最差存储单元信息，并将最差存储单元信息存储在所述非易失性存储器中；步骤2，如果所述DRAM处于繁忙状态，所述 DRAM以常规刷新模式工作，此时所述 DRAM的刷新周期为常规刷新周期；步骤3，如果所述DRAM处于非繁忙状态，那么所述DRAM进入低功耗刷新模式，所述低功耗刷新模式包括温度敏感模式和温度不敏感模式，如果选择温度敏感模式，那么进入步骤4，如果选择温度不敏感模式，则进入步骤5；步骤4，如果所述DRAM运行在温度敏感模式下，所述非易失性存储器中的存储单元替代当前温度范围内在步骤1中检测到的最差存储单元，重新配置所述DRAM刷新周期；如果在某一时刻检测到当前温度变化到另一温度范围，那么更新最差存储单元信息，更新刷新周期；步骤5，如果所述DRAM运行在温度不敏感模式，所述非易失性存储器中的存储单元替代在步骤1中检测到的最差存储单元，重新配置所述DRAM的刷新周期；如果在某一时刻所述DRAM运行温度超过规定值时，所述DRAM会由低功耗刷新模式切换回常规刷新模式。