[发明专利]消除擦除干扰的FLASH芯片擦除方法在审
| 申请号： | 201410067898.4 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104882163A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 胡洪;陈建梅 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;孟金喆 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种消除擦除干扰的FLASH芯片擦除方法。所述方法包括FLASH芯片接收擦除指令；施加一正高压至所述阱区；施加所述正高压至阱区中非擦除区域中存储单元的控制栅极和源极，并悬空非擦除区域中存储单元的漏极；施加所述正高压至阱区中预擦除区域中存储单元的源极，并施加一负高压至预擦除区域中存储单元的控制栅极，悬空预擦除区域中存储单元的漏极；所述正高压和所述负高压使所述预擦除区域中存储单元产生隧道效应，实现擦除。本发明提供的擦除方法，在擦除完成后不再需要擦除修复操作，减少了擦除的时间开销，提高了擦除的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 擦除 干扰 flash 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种消除擦除干扰的FLASH芯片擦除方法，应用于FLASH芯片存储阵列中形成于同一阱区中的存储单元，其特征在于，包括：FLASH芯片接收擦除指令；施加一正高压至所述阱区；施加所述正高压至阱区中非擦除区域中存储单元的控制栅极和源极，并悬空所述非擦除区域中存储单元的漏极；施加所述正高压至阱区中预擦除区域中存储单元的源极，并施加一负高压至所述预擦除区域中存储单元的控制栅极，悬空所述预擦除区域中存储单元的漏极；所述正高压和所述负高压使所述预擦除区域中存储单元产生隧道效应，实现擦除。
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