[发明专利]快速擦除的FLASH芯片及擦除方法有效
| 申请号： | 201410067930.9 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104882164B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈建梅;胡洪 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;孟金喆 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种快速擦除的FLASH芯片及擦除方法。快速擦除的FLASH芯片包括：存储阵列，存储阵列包括m个子存储阵列和隔离字线区域；m个子存储阵列形成于同一阱区，以及每一个子存储阵列的大小和FLASH芯片预设的最小擦除范围的大小相同；隔离字线区域形成在相邻的子存储阵列之间；m个子字线驱动电路，分别连接于m个子存储阵列，每一子字线驱动电路对与其相连接的子存储阵列提供驱动电压信号；以及位线选择电路，提供多根位线，连接于存储阵列每列存储单元中不包括隔离字线区域存储单元的漏极，用于选择存储阵列中存储单元。本发明技术方案，提升FLASH芯片的擦除速度，进而提升FLASH芯片的擦除效率。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 擦除 flash 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快速擦除的FLASH芯片，其特征在于，包括：存储阵列，所述存储阵列包括m个子存储阵列和隔离字线区域；所述m个子存储阵列形成于同一阱区，以及每一个子存储阵列的大小和FLASH芯片预设的最小擦除范围的大小相同；隔离字线区域形成在相邻的子存储阵列之间；m个子字线驱动电路，分别连接于m个子存储阵列，所述每一个子字线驱动电路对与其相连接的子存储阵列提供驱动电压信号；以及位线选择电路，提供多根位线，连接于所述存储阵列中每列存储单元的漏极，用于选择存储阵列中存储单元；其中，m为正整数，2≤m；所述FLASH芯片擦除时，所述FLASH芯片配置为：悬空与存储阵列相连接的位线，并施加一正高压至阱区；施加所述正高压至非擦除子存储阵列中存储单元的控制栅极和源极；施加所述正高压至隔离字线区域中存储单元的源极和漏极，并施加一正低压至隔离字线区域中存储单元的控制栅极；施加所述正高压至预擦除子存储阵列中存储单元的源极，并施加一负高压至预擦除子存储阵列中存储单元的控制栅极；所述正高压和所述负高压的差值以使所述预擦除子存储阵列中存储单元产生隧道效应，以实现擦除。
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