[发明专利]一种在铁电晶体材料中制作畴反转光栅的极化电极结构无效

专利信息
申请号: 201410068516.X 申请日: 2014-02-27
公开(公告)号: CN103901697A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 梁万国;陈怀熹;宋国才;邹小林;周煌;缪龙;冯新凯 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: G02F1/355 分类号: G02F1/355
代理公司: 福州科扬专利事务所 35001 代理人: 俆开翟
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开一种在铁电晶体材料中制作畴反转光栅的极化电极结构,用于制备铁电晶体材料的周期性畴反转光栅。该电极结构包括带正面的梳状光栅电极、背面的金属电极、正面减薄部分区域的铁电晶体材料以及覆盖在梳状光栅电极之间的SiO2介质层,主电极部分为马蹄形,本发明可以压制极化过程中反转畴垂直分量的增长,并有效压制了其侧向的生长,解决了利用外加脉冲电压来制作大厚度长周期和短周期的周期性反转晶体材料(PPXX)的问题,实现了对大厚度和短周期的铁电晶体材料周期性极化,且最终的极化垂直性优越。
搜索关键词: 一种 电晶体 材料 制作 反转 光栅 极化 电极 结构
【主权项】:
一种在铁电晶体材料中制作畴反转光栅的极化电极结构,其特征在于:所述电极结构包括带正面的梳状光栅电极、背面的金属电极、正面减薄部分区域的铁电晶体材料以及覆盖在梳状光栅电极之间的SiO2介质层,主电极部分为马蹄形。
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