[发明专利]发酵法制备多孔碳化硅的方法有效
| 申请号： | 201410068538.6 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103803983A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张小立 | 申请（专利权）人： | 中原工学院 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B38/00;C04B35/622 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 张绍琳;张真真 |
| 地址： | 451191 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发酵法制备多孔碳化硅的方法，它的步骤如下：（1）将淀粉发酵，得到发酵产物；淀粉可以是各种淀粉，发酵方法包括酵母发酵、酵子发酵、牛奶发酵等，不用控制发酵物的酸度，只保证达到所要求的孔隙率和孔隙结构即可，发酵产物可以让其转变为麦芽糖体，也可不发生；（2）将发酵产物在300-1300℃的条件下碳化10-120分钟，得到碳化产物；（3）将碳化产物放入真空炉中，真空炉的底部铺Si粉，Si粉的质量为碳化产物质量的4-20%，在1450-1800℃保温10-40min，得到多孔碳化硅陶瓷。本发明可获得孔隙率达30%以上的多孔碳化硅陶瓷。本发明工艺简单，资源丰富，绿色环保，可规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 发酵 法制 多孔 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种发酵法制备多孔碳化硅的方法，其特征在于，它的步骤如下：（1）将淀粉发酵，得到发酵产物；（2）将发酵产物在300‑1300℃的条件下碳化10‑120分钟，得到碳化产物；（3）将碳化产物放入真空炉中，真空炉的底部铺Si粉，Si粉的质量为碳化产物质量的4‑20%，在1450‑1800℃保温10‑40min，得到多孔碳化硅陶瓷。
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