[发明专利]一种三维多孔的Co3O4/Pt/Ni复合电极及其制备方法和应用有效
申请号: | 201410068658.6 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN103825003A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 赵新兵;曹静仪;谢健;刘双宇;曹高劭 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01M4/131 | 分类号: | H01M4/131;H01M4/1391 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种三维多孔的Co3O4/Pt/Ni复合电极,以三维多孔泡沫镍为基体,所述基体上直接生长Co3O4纳米线,所述Co3O4纳米线上直接生长纳米Pt颗粒。本发明还公开了所述Co3O4/Pt/Ni复合电极的制备方法及应用,制备工艺简单,能耗低、成本低,适合于大规模工业化生产;由于特殊的三维多孔结构以及Co3O4纳米线和Pt纳米颗粒的协同催化作用,制备得到的Co3O4/Pt/Ni复合电极具有高容量、低过电位和高循环稳定性,将其应用于锂-空电池空气电极中,可用来提高锂-空电池的电化学性能,特别是降低过电位及提高循环稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 多孔 co sub pt ni 复合 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种三维多孔的Co3O4/Pt/Ni复合电极,其特征在于,以三维多孔泡沫镍为基体,所述基体上直接生长Co3O4纳米线,所述Co3O4纳米线上直接生长纳米Pt颗粒。
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