[发明专利]半导体封装结构和工艺有效

专利信息
申请号: 201410068916.0 申请日: 2014-02-27
公开(公告)号: CN104733329B 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 何冠霖;陈衿良;林韦廷;刘育志;林士砚 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/50;H01L23/373;H01L25/00;H01L25/16
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供了一种用于封装半导体器件的方法和结构。在实施例中,将第一衬底接合至第二衬底,将第二衬底接合至第三衬底。在应用底部填充材料之前将热界面材料放置在第二衬底上。可以将环形件放置在热界面材料上,以及在第二衬底和第三衬底之间分配底部填充材料。通过在放置底部填充材料之前放置热界面材料和环形件,使得底部填充材料不能干扰热界面材料和第二衬底之间的界面,并且热界面材料和环形件可以用作底部填充材料的物理屏障,从而防止溢流。本发明还包括半导体封装结构和工艺。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 工艺
【主权项】:
一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括:将第一衬底接合至第二衬底的第一侧;将第一热界面材料放置在所述第二衬底上,其中,在放置所述第一热界面材料的步骤中,将所述第一热界面材料放置在所述第一侧上;以及在所述第一衬底和所述第二衬底之间分配底部填充材料,在将所述第一热界面材料放置在所述第二衬底上之后,实施所述分配,其中,所述底部填充材料在第一方向上延伸以与所述第一热界面材料的侧壁接触并且在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸第一高度,所述第一高度小于所述第一热界面材料的高度,并且所述底部填充材料具有暴露于环境空气中的表面。
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