[发明专利]一种聚脲专用耐抗污的有机硅低聚物及其制备方法有效
| 申请号： | 201410069078.9 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103804689B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张群朝;李国荣;蒋涛;谢亦富;杨金鑫;王秋娣;廖有为 | 申请（专利权）人： | 湖北大学;广州秀珀化工股份有限公司 |
| 主分类号： | C08G77/26 | 分类号： | C08G77/26;C08G77/08;C08G18/61;C09D175/02;C09D5/16 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)35219 | 代理人： | 林祥翔,吕元辉 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种聚脲专用耐抗污的有机硅低聚物及其制备方法，所述制备方法为：先将氟烷基烷氧基硅烷、烷基烷氧基硅烷或四烷氧基硅烷进行水解缩聚得到烷氧基封端线性低聚硅氧烷，再将得到的烷氧基封端线性低聚硅氧烷与含羟烷基或胺烷基的烷氧基硅烷进行水解聚合反应，得到所述的聚脲专用耐抗污的硅氧烷低聚物。本发明通过引入氟烷基、烷基基团、与异氰酸酯特定反应的氨基或羟烷基基团以及制备含多烷氧基结构的硅氧烷低聚体，不仅制备方法简单、成本低，而且可精确控制有机硅低聚物中的聚合度、烷氧基数、烷基数和氟烷基数，解决了传统硅氧烷改性聚脲的反应不稳定、附着力差、相分离严重、成本高的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 专用 耐抗污 有机硅 低聚物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种聚脲专用耐抗污的有机硅低聚物，其特征在于：所述的有机硅低聚物的分子式如式(II)所示：所述式(II)中，R1为碳数为C1～C18的烷基、芳基、碳数为C3～C8的全氟烷基乙基或碳数为C1～C4的烷氧基；R2为碳数为C1～C18的烷基、芳基、碳数为C3～C8的全氟烷基乙基或碳数为C1～C4的烷氧基；R3为碳数为C1～C12饱和或不饱和的直链或支链的烷基、环烷基、芳基或碳数为C1～C4的烷氧基；R4是碳数为C1～C12饱和或不饱和的直链或支链的烷基、环烷基、芳基或碳数为C1～C4的烷氧基；Q为碳数为C1～C8的亚甲基；X为(HO)2CH、(HO)2CHCH2、(HO)2CH(CH2)2、(HO)2CH(CH2)3、(HO)2CH(CH2)5、NH2(CH2)2NHCH2、NH2(CH2)3NHCH2、NH2(CH2)4NHCH2、NH2(CH2)3NH(CH2)2、NH2(CH2)4NH(CH2)2、NH2(CH2)2NH(CH2)3、NH2(CH2)4NH(CH2)3、NH2(CH2)4NH(CH2)4、NH2C6H4NH(CH2)3、NH2C6H4NHCH2、NH2C6H4NH(CH2)2、NH2C6H4NH(CH2)4、NH2C6H12NHCH2、NH2C6H12NH(CH2)2、NH2C6H12NH(CH2)3或NH2C6H12NH(CH2)4；R5为碳数为C1～C4的烷基；a为1～100的正整数。
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