[发明专利]整流装置有效

专利信息
申请号: 201410069108.6 申请日: 2014-02-27
公开(公告)号: CN104253545B 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 大塚正臣;相泽裕俊;高山徹 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 戚宏梅,杨谦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明为整流装置,接受通过无线供电传来的电力,将电流整流后输出,具备第一、二pMOS晶体管,源极与输出端子连接,漏极分别与第一、二受电端子连接;第一、二nMOS晶体管,漏极分别与第一、二受电端子连接,源极与固定电位连接;电流检测电路,检测负载电流,输出电流检测信号;第一电压检测电路,检测第一受电端子与固定电位间的电压;第二电压检测电路,检测第二受电端子与固定电位间的电压;分别基于第一、二电压检测电路的检测结果控制第二、一pMOS晶体管;分别基于电流检测信号及第一电压检测电路的检测结果、电流检测信号及第二电压检测路的检测结果来控制第一、二nMOS晶体管,由此抑制来自输出端子的逆流且提高效率。
搜索关键词: 整流 装置
【主权项】:
一种整流装置,接受通过无线供电从送电装置传送来的电力,对所得到的电流进行整流后输出,其特征在于,具备:受电线圈,连接在第一受电端子与第二受电端子之间,与所述送电装置的送电线圈电磁耦合;受电电容器,在所述第一受电端子与所述第二受电端子之间,与所述受电线圈串联连接;第一pMOS晶体管,源极与输出端子连接,漏极与所述第一受电端子连接;第二pMOS晶体管,源极与所述输出端子连接,漏极与所述第二受电端子连接;第一nMOS晶体管,漏极与所述第一受电端子连接,源极与固定电位连接;第二nMOS晶体管,漏极与所述第二受电端子连接,源极与所述固定电位连接;电流检测电路,检测在连接有负载的负载端子与所述输出端子之间流动的负载电流,输出与将所述负载电流与所设定的阈值比较而得的结果对应的电流检测信号;第一电压检测电路,检测所述第一受电端子与所述固定电位之间、或者所述输出端子与所述第一受电端子之间的电压;第二电压检测电路,在所述第一电压检测电路检测所述第一受电端子与所述固定电位之间的电压的情况下,检测所述第二受电端子与所述固定电位之间的电压,或者,在所述第一电压检测电路检测所述输出端子与所述第一受电端子之间的电压的情况下,检测所述输出端子与所述第二受电端子之间的电压;第一控制电路,基于所述第二电压检测电路的检测结果,控制所述第一pMOS晶体管;第二控制电路,基于所述第一电压检测电路的检测结果,控制所述第二pMOS晶体管;第三控制电路,基于所述电流检测信号以及所述第一电压检测电路的检测结果,控制所述第一nMOS晶体管;以及第四控制电路,基于所述电流检测信号以及所述第二电压检测电路的检测结果,控制所述第二nMOS晶体管。
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