[发明专利]一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法有效
| 申请号： | 201410069486.4 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103820848A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 何苗;陈虞龙;王禄;石震武;孙庆灵;高优 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/52;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑莹 |
| 地址： | 510630 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种II型GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料及其生长方法，该超晶格材第一层为生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In0.53Ga0.47As缓冲层，第四层为GaSb量子点；其生长方法为先在InP衬底表面生长缓冲层后，生长4～5MLGaSb量子点，再生长缓冲层，最后再生长4～5MLGaSb量子点；本发明实现了采用MBE技术在InP衬底上以S-K模式生长获得GaSb/In0.53Ga0.47As量子点，其形貌质量好、光学性能佳；本发明方法有效避免了As-Sb互换，显著降低了晶格失配度和Ga原子迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp 衬底 外延 生长 ii gasb ingaas 量子 方法 | ||
【主权项】：
一种II型GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料，其特征在于：其由以下结构组成：第一层为生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In0.53Ga0.47As缓冲层，第四层为GaSb量子点。
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