[发明专利]一种高温压电陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410069700.6 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104230333A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 郭栋;王云丽;蔡锴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | C04B35/491 | 分类号： | C04B35/491;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人： | 杨小蓉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高居里温度压电陶瓷，该压电陶瓷通式为(BiYb)1-xPbxTiyZrx-yO3+zmol%A，其中x=0.91～0.98，y=0.45～0.68，z=0.05～5，A为改性元素。本发明还提供了一种制备该压电陶瓷的方法，利用该方法制备的压电陶瓷具有较高的居里温度、较高的压电常数、较低介电损耗、较高机电耦合系数和较宽范围可变的机械品质因数等，并克服了现有压电材料难于同时具有较高居里温度和较高压电性能，且综合电学参数无法满足特定压电器件使用要求的问题。本发明具有工艺简单稳定、无需特殊设备、成本较低和便于规模化工业生产等特点，可用于相应各种高温压电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高温压电陶瓷材料，其特征在于，所述压电陶瓷材料的化学结构通式为(BiYb)1‑xPbxTiyZrx‑yO3+zmol%A，其中A为改性元素，是离子半径小于Yb和Ti离子半径的金属元素，但不包括铁元素；所述压电陶瓷材料结构通式中x取值范围为0.91～0.98，y取值范围为0.45～0.68，z取值范围为0.05～5。
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