[发明专利]一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法

摘要

本发明提出了一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法。该方法以硅掺杂的n型GaAs基片作为底层，底层上预设两个电极区位，在一个电极区位的基片上，制备Co掺杂的a-C膜，在Co掺杂的a-C膜上，再采用真空热蒸发方法蒸镀Ag层；在底层上另一个电极区位的基片上直接蒸镀Ag层，从而构成具有p-n结和肖特基结的双结串联结构的光敏电阻器件。该器件不仅红光敏感、光灵敏度高、光响应速度快，具有线性的光照特性，可用作火警报警的光电开关或光功率计，而且还具有所取用的原材料价格低廉，制备工艺简洁，环保无污染等优越性。

主权项

一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件，其特征在于：它的底层为硅（Si）掺杂的n型GaAs基片，基片上设置的两个电极区中的一个电极区上，镀有钴（Co）掺杂的非晶碳膜（a‑C：Co），该非晶碳膜层上设置有镀银（Ag）层；基片上设置的另一个电极区上直接设置有镀银（Ag）层，两个镀银（Ag）层构成一对电极。