[发明专利]纳米结构的转移方法有效
申请号: | 201410070781.1 | 申请日: | 2014-02-28 |
公开(公告)号: | CN104876177B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 何宇俊;李东琦;李天一;魏洋;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种纳米结构的转移方法,包括以下步骤:提供一生长基底,该生长基底表面具有一纳米结构层;提供一粘胶层覆盖所述纳米结构层;通过移动所述粘胶层和所述生长基底中至少一个,使所述粘胶层远离所述生长基底,从而使所述纳米结构层与所述生长基底分离,至少部分纳米结构层从所述粘胶层暴露出来;提供一目标基底,将该粘胶层与所述目标基底层叠设置,使所述纳米结构层位于所述粘胶层与所述目标基底之间,并与所述目标基底接触设置;在所述粘胶层远离目标基底的表面设置一金属层;提供一有机溶剂,使该有机溶剂从所述粘胶层与纳米结构层接触的界面渗透使所述粘胶层分解;采用外力使所述粘胶层连同所述金属层与所述纳米结构层及目标基底分离。 | ||
搜索关键词: | 纳米 结构 转移 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米结构的转移方法,包括以下步骤:提供一生长基底,该生长基底表面具有一纳米结构层;提供一粘胶层覆盖所述纳米结构层;通过移动所述粘胶层和所述生长基底中至少一个,使所述粘胶层远离所述生长基底,从而使所述纳米结构层与所述生长基底分离,至少部分纳米结构层从所述粘胶层暴露出来;提供一目标基底,将该粘胶层与所述目标基底层叠设置,使所述纳米结构层位于所述粘胶层与所述目标基底之间,并与所述目标基底接触设置;在所述粘胶层远离目标基底的表面设置一金属层;提供一有机溶剂,使该有机溶剂从所述粘胶层与纳米结构层接触的界面渗透使所述粘胶层分解;以及采用外力使所述粘胶层连同所述金属层与所述纳米结构层及目标基底分离。
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