[发明专利]一种机械式拆键合工艺方法在审
申请号: | 201410071129.1 | 申请日: | 2014-02-28 |
公开(公告)号: | CN103839862A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 姜峰;于大全 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 任益 |
地址: | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种机械式拆键合工艺方法。本发明要解决的技术问题在于提供一种采用等离子技术进行机械式拆键合工艺的方法,通过清洗装置的改进,提高清洗的效率。为此本发明的技术方案是应用旋转体或者等离子体技术于切割装置中,对临时键合体中的边缘区域胶层进行切割。随后在清洗器件晶圆表面残留的临时键合胶工序时,清洗步骤是通过切割装置附带的一个或者多个喷气或者喷出可以溶解键合胶清洗液的装置来实现的。通过本发明的旋转体或者等离子体技术于切割工序,解决了现有切割方式存在的切割装置使用寿命短的缺点,喷气或清洗液喷出装置的采用提高了切割步骤的速度,有效克服了器件晶圆切割步骤存在的工艺耗时的缺点。 | ||
搜索关键词: | 一种 机械式 拆键合 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种机械式拆键合工艺方法,包括以下步骤:S1、采用临时键合胶将器件晶圆与载片晶圆进行键合,形成临时键合体;S2、对临时键合体上的器件晶圆进行背面加工工序;S3、通过厚度测量装置测量得到临时键合胶所在的高度位置;S4、根据临时键合胶所在的高度位置将切割装置移动至临时键合胶的位置,使用切割装置对临时键合体中的边缘区域胶层进行切割;S5、将载片晶圆从临时键合体上移除;S6、清洗器件晶圆表面残留的临时键合胶;其特征在于步骤S4中的切割是使用旋转体或者等离子体完成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造