[发明专利]一种基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法有效

专利信息
申请号: 201410072003.6 申请日: 2014-02-28
公开(公告)号: CN103794725A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 王向华;秦梦芝;元淼;吕国强 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人: 何梅生
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法,其特征在于:取基底,在其局部蒸镀重金属层,形成重金属区域、基底区域及重金属区域和基底区域的交界线;通过喷墨打印的方式,以重金属区域中的一点为打印起点、以基底区域中的一点为打印终点,制备有机半导体薄膜,令有机半导体薄膜在重金属区域的长度为Lr,令有机半导体薄膜的总长为Ls,令η=Lr/Ls,则η满足η=14.1%~76.5%。本发明在以喷墨打印的方式制备有机半导体薄膜时,利用重金属相对于基底表面具有较大的表面能色散分量,诱导有机半导体薄膜的结晶取向,所制备的有机半导体薄膜的厚度均匀,并具有结晶取向,适合制作高性能有机薄膜晶体管。
搜索关键词: 一种 基于 重金属 诱导 有机半导体 薄膜 结晶 取向 喷墨 打印 方法
【主权项】:
一种基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法,其特征在于:取基底,在所述基底的局部蒸镀重金属层,形成重金属区域、基底区域及重金属区域和基底区域的交界线;通过喷墨打印的方式,以重金属区域中的一点为打印起点、以基底区域中的一点为打印终点,制备有机半导体薄膜,令有机半导体薄膜在所述重金属区域的长度为Lr,令有机半导体薄膜的总长为Ls,令η=Lr/Ls,则η满足η=14.1%~76.5%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学,未经合肥工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410072003.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top