[发明专利]一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法

摘要

本发明涉及一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层、腐蚀截止层、亚集电极层、集电极层、渐变基极层、发射极层和盖层组成；制备特征在于（1）将InP（100）衬底送入气态源分子束外延系统GSMBE的预处理室，于300‑350℃除气；（2）将上述衬底传递至GSMBE的生长室，生长前的衬底表面解析，解析是在As气氛下加热至解析温度，去除表面氧化层，然后将PH3于1000℃进行裂解，得到P2用作Ps源，调节气源炉PH3压力PV为450～700Torr；（3）衬底在P气氛的保护下进行生长前的表面解吸，衬底温度于400℃下进行外延生长，生长时衬底以每分钟5转的速度旋转，以保证外延材料的均匀性。

主权项

一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层、腐蚀截止层、亚集电极层、集电极层、渐变基极层、发射极层和盖层组成；其中，①半绝缘的InP衬底为掺Fe的InP基底；②外延缓冲层为非掺杂的InP层，厚度为50‑60nm；③腐蚀截止层为非掺杂的In0.53Ga0.47As层，厚度为10‑15nm；④亚集电极层由三层组成，依次是厚度为280‑300nm的掺Si的InP层、厚度为40‑50nm的掺Si的In0.53Ga0.47As层和厚度为40‑50nm的掺Si的InP层；⑤集电极层由四层组成，依次是厚度为180‑200nm的掺Si的InP层、厚度为15‑25nm的掺Si的In0.88Ga0.12As0.27P0.73层、厚度为15‑25nm的掺Si的In0.73Ga0.27As0.58P0.42层以及厚度为40‑50nm的掺Si的In0.53Ga0.47As层；⑥渐变基极层，或称为基区层或称为基极层为掺杂C的In1‑xGaxAs层，Ga的组分从集电极至发射极由0.47至0.55渐变，厚度为45‑65nm；⑦发射极层由两层组成，依次是厚度为30‑40nm的掺Si的InP层，和厚度为120‑130nm的掺Si的InP层；⑧盖层为掺Si的In0.53Ga0.47As层，厚度为55‑65nm，掺杂浓度为1‑2E19/cm3。