[发明专利]一种碳化硅表面处理方法有效
| 申请号： | 201410072719.6 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104882365B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 郭丽伟;芦伟;贾玉萍;郭钰;李治林;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于碳化硅的表面处理方法，一种用于碳化硅的表面处理方法，包括将碳化硅粉末以及具有待处理表面的碳化硅晶体放置在真空腔中；使所述碳化硅粉末被加热至第一温度以使其分解从而形成富Si气氛，至少使所述碳化硅晶体的所述待处理表面位于所述富Si气氛中，并使所述碳化硅晶体被加热至第二温度，以使所述碳化硅晶体的所述待处理表面与所述富Si气氛发生刻蚀反应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种用于碳化硅的表面处理方法，包括：1)将碳化硅粉末以及具有待处理表面的碳化硅晶体放置在真空腔中；2)使所述碳化硅粉末被加热至第一温度以使其分解从而形成富Si气氛，至少使所述碳化硅晶体的所述待处理表面位于所述富Si气氛中，并使所述碳化硅晶体被加热至第二温度，以使所述碳化硅晶体的所述待处理表面与所述富Si气氛发生刻蚀反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
