[发明专利]一种基于纳米多层中空胶囊一维光子晶体薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410073201.4 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103896627A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 葛丽芹;任姣雨;姚翀;朱彦熙 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85;C04B41/89 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 冯慧 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米多层中空胶囊一维光子晶体薄膜的制备方法，以SiO2纳米多层中空胶囊为基底，结合旋涂技术将TiO2和GO组装到SiO2纳米多层中空胶囊表面，制备一维光子晶体薄膜的方法。本发明以层层自组装法制备的纳米多层中空胶囊为基底，通过中空胶囊形态的改变，引起更大幅度的光子禁带的移动，从而提升一维光子晶体检测的灵敏度，因而制备出的基于纳米多层中空胶囊一维光子晶体薄膜比普通一维光子晶体薄膜更为灵敏。本发明方法简单有效，操作简便，且所需时间较短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 多层 中空 胶囊 光子 晶体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米多层中空胶囊一维光子晶体薄膜的制备方法，其特征在于，以SiO2纳米多层中空胶囊为基底，包括如下步骤：步骤一、利用层层自组装法制备SiO2纳米多层中空胶囊；步骤二、硅片洗净吹干，利用旋涂法将步骤一制备的SiO2纳米多层中空胶囊固定在硅片表面，得到一维光子晶体薄膜的基底，其中，旋涂转速为3000～6000rpm，旋涂时间为30s～1min；步骤三、分别制备TiO2胶体溶液和GO胶体溶液，其中，TiO2胶体溶液浓度为7.8～39mg/ml，GO胶体溶液浓度为0.1～0.5mg/ml；步骤四、利用旋涂法逐层将步骤三制备的TiO2胶体溶液和GO胶体溶液涂到步骤二制备的基底表面，得到所述基于SiO2纳米多层中空胶囊一维光子晶体薄膜，其中，每层旋涂转速为3000～6000rpm，旋涂时间为30s～1min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410073201.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
