[发明专利]一种低温多晶硅TFT器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种新型低温多晶硅TFT器件结构及其制造方法，本申请通过先制备一个或多个凸起图形，然后形成一有源区覆盖在所述凸起图形顶部上表面的至少局部区域及覆盖在凸起图形的至少一个侧壁上然后形成沟道区。本发明通过制备一立体的凸起图形，然后在其上方形成沟道区，可在不改变衬底投影面积的前提下，有效地增加沟道宽度，进而增大了沟道的宽长比，提高了开态电流Ion，进而提升了TFT器件的驱动能力及器件性能。

主权项

一种低温多晶硅TFT器件的制造方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的表面依次沉积一衬垫层和一介质层；步骤S2、刻蚀所述介质层形成位于所述衬垫层之上的凸起图形，刻蚀停止在所述衬垫层上表面；步骤S3、沉积一非晶硅层覆盖在所述凸起图形和衬垫层上方，并将所述凸起图形的侧壁予以覆盖，并将所述非晶硅层转化为多晶硅层；步骤S4、刻蚀所述多晶硅层形成一有源区，所述有源区覆盖在所述凸起图形顶部上表面的至少局部区域及覆盖在凸起图形的至少一个侧壁上；步骤S5、于所述衬垫层和有源区上方依次形成一绝缘层和一栅极材料层；步骤S6、刻蚀所述绝缘层和所述栅极材料层形成一栅极及位于该栅极下方的栅绝缘层；其中，所述栅极和栅绝缘层的叠层至少具有交叠在有源区的一沟道区上方的堆栈式栅极，以及有源区的一源极区及一漏极区分别位于沟道区的两侧。