[发明专利]一种超大规模集成电路结到壳热阻测试的方法

摘要

本发明涉及一种超大规模集成电路结到壳热阻测试的方法，该方法不用加工专门的热阻测试芯片，对被测的集成电路根据芯片的特性建立热阻测试的加热单元和温度敏感单元，进行热阻测试，被测的集成电路包括两组或两组以上的电源和地回路，将被测集成电路的外围电源与地之间的隔离二极管作为温度敏感单元，将被测集成电路的内核电源与地之间的隔离二极管作为加热单元，采用T3Ster热阻测试仪进行测试，本发明方法使集成电路封装结到壳的热阻测试不再需要专用的热阻测试芯片，有效的简化了热阻测试的步骤，大大提高了测试的效率。

主权项

一种超大规模集成电路结到壳热阻测试的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤（一）、将T3Ster热阻测试仪开机，设定T3Ster热阻测试仪的测量模式为二极管模式，两端的定义是A为正和C为地，所述被测的集成电路包括两组或两组以上的电源和地回路，将所述被测集成电路的外围电源与地之间的隔离二极管作为温度敏感单元，然后将所述被测集成电路外围的所有电源管脚连接到T3Ster热阻测试仪的C端，外围的所有地管脚连接到T3Ster热阻测试仪的A端；步骤（二）、测试所述被测集成电路的外围电源与地之间的隔离二极管两端的伏安特性，并确定测试电流；步骤（三）、在T3Ster热阻测试仪的计算机上启动T3Ster热阻测试软件，将T3Ster热阻测试仪的温控油槽打开，通过T3Ster热阻测试软件将所述温控油槽启动，并设置温度范围，将被测集成电路放入温控油槽中，在所述设置的温度范围内测量温度敏感单元的K系数；步骤（四）、将被测集成电路的芯片粘接面所在的外壳平面和T3Ster热阻测试仪的恒温平台紧密接触，在T3Ster热阻测试仪上利用通气的压力装置顶紧被测集成电路；步骤（五）、将所述被测集成电路的内核电源与地之间的隔离二极管作为加热单元，然后将被测集成电路的内核回路中所有电源管脚连接到T3Ster热阻测试仪的加热恒流源的负端，所有地管脚接到加热恒流源的正端，对所述隔离二极管两端的伏安特性进行测试，确定正向压降；步骤（六）、选择被测集成电路实际工作时的最大功率作为加热功率，与步骤（五）中测得的正向压降相除即得到需要施加的加热电流，将加热电流施加在所述加热单元上，当加热单元两端的压降不再发生改变即达到热平衡状态；步骤（七）、待达到热平衡状态以后，停止施加在被测集成电路上的加热电流，并对所述温度敏感单元的正向导通压降进行记录，直致达到新的热平衡状态停止记录；T3Ster热阻测试仪自动记录被测集成电路的冷却曲线，所述冷却曲线的纵坐标是电压的变化值，横坐标是时间的对数坐标；步骤（八）、将被测集成电路的芯片粘接面所在的外壳平面涂上导热硅脂，将所述外壳平面与T3Ster热阻测试仪的恒温台紧密接触，重复步骤（五）—（七），再次得到被测集成电路的冷却曲线；步骤（九）、由所述两次得到的冷却曲线进行计算，将两条冷却曲线导入上T3Ster热阻测试仪的分析软件中的结构函数计算模块，计算得到被测集成电路结到壳热阻。