[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、一第一栅结构、一第二栅电极、一第三栅电极及一保护层。第一栅结构包括一第一栅电极及一第一栅介电质，第一栅电极设置在基板上，第一栅介电质覆盖第一栅电极。第二栅电极设置在第一栅电极上，并与第一栅电极电性隔离。第一栅结构相对于第二栅电极具有一延伸部。第三栅电极相邻于第一栅电极和第二栅电极设置，并与第一栅电极、第二栅电极电性隔离。第三栅电极具有一延伸部，位于保护层的一下表面和第一栅结构的延伸部的一上表面之间。

主权项

一种半导体结构，包括：基板；第一栅结构，包括第一栅电极及第一栅介电质，所述第一栅电极设置在所述基板上，所述第一栅介电质覆盖所述第一栅电极，所述第一栅结构具有一延伸部；第二栅电极，设置在所述第一栅电极上，并与所述第一栅电极电性隔离，其中所述第一栅结构的所述延伸部延伸超出所述第二栅电极的一侧壁；第三栅电极，相邻于所述第一栅电极和所述第二栅电极设置，并与所述第一栅电极、所述第二栅电极电性隔离，所述第三栅电极具有一延伸部；以及保护层，其中所述第三栅电极的所述延伸部位于所述保护层的一下表面和所述第一栅结构的所述延伸部的一上表面之间。