[发明专利]一种提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法及反相器在审
| 申请号： | 201410074627.1 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104900518A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 赵建文;徐文亚;刘振;钱龙;崔铮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法，包括：s1、制备碳纳米管溶液；s2、对基底进行等离子刻蚀处理，使其改性并具有一定的浸润性；s3、通过打印方式将碳纳米管溶液定位于基底的沟道之间，得到性能均一的多个碳纳米管薄膜晶体管。本发明通过短时间的氧气等离子体刻蚀对基底表面进行处理，基底表面亲水化效果明显，具有很好的浸润性。在此基础上，构建的碳纳米管薄膜晶体管器件性能良好，可以在改性的基底上制作均一性较高的多个晶体管。其制备方法工艺简单、环境友好、操作方便、成本低廉，因此有望应用于大规模商业化生产高性能大面积印刷独立碳纳米管晶体管器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 纳米 薄膜晶体管 均一 方法 反相器 | ||
【主权项】：
一种提高碳纳米管薄膜晶体管均一性的方法，其特征在于，包括：s1、制备碳纳米管溶液；s2、对基底进行等离子刻蚀处理，使其改性并具有一定的浸润性；s3、通过打印方式将碳纳米管溶液定位于基底的沟道之间，得到性能均一的多个碳纳米管薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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