[发明专利]MOS栅极器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种MOS栅极器件的制造方法，包括步骤：在半导体衬底表面依次形成栅介质层、栅极层、栅极增高层和刻蚀阻挡层。采用光刻刻蚀工艺形成栅极图形结构。形成体区。光刻加注入工艺形成源区。淀积侧墙层。对侧墙层进行全面刻蚀并形成对宽侧墙。通过光刻工艺及利用对宽侧墙作自对准刻蚀形成栅极开孔区和源区开孔区。淀积正面金属层。进行光刻刻蚀形成正面电极引出端子。本发明相对传统的光掩模对准工艺能减少对光刻精度的要求，同时保证对宽侧墙的均匀性和一致性，从而降低由于掩膜工艺而带来的缺陷以及对电流密度的限制，能提高器件密度从而提高集成度。另本发明中增加的刻蚀阻挡层也降低了刻蚀工艺的精度要求，降低刻蚀工艺的难度。

主权项

一种MOS栅极器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面依次形成栅介质层、栅极层、栅极增高层和刻蚀阻挡层；步骤二、采用光刻刻蚀工艺形成栅极图形结构，栅极由刻蚀后的所述栅介质层、所述栅极层、所述栅极增高层和所述刻蚀阻挡层叠加而成，各所述栅极之间的所述刻蚀阻挡层、所述栅极增高层、所述栅极层和所述栅介质层被去除并露出所述半导体衬底表面；步骤三、利用所述栅极为自对准掩膜在各所述栅极之间的所述半导体衬底中形成由P‑区组成的体区；步骤四、采用光刻工艺形成掩膜图形定义出源区的形成区域，在所述源区的形成区域中进行N+注入形成由N+区组成的所述源区，所述源区位于所述体区的部分区域中，所述源区的一侧和所述栅极自对准，所述源区的另一侧由掩膜图形定义，两个相邻的所述源区之间的区域保持所述体区的掺杂条件；步骤五、在形成有所述源区的所述半导体衬底正面淀积侧墙层；步骤六、采用全面刻蚀工艺对所述侧墙层进行刻蚀并在各所述栅极的侧面形成对宽侧墙，相邻的所述栅极侧面之间的两个所述对宽侧墙之间的所述源区以及所述源区之间的所述体区表面露出、且由相邻的所述栅极侧面之间的两个所述对宽侧墙自对准定义出所述源区和所述体区的开孔区，所述栅极的所述刻蚀阻挡层表面露出；步骤七、在所述半导体衬底的正面淀积正面金属层，所述正面金属层将所述源区和所述体区的开孔区填充并延伸到所述栅极的所述刻蚀阻挡层表面；步骤八、采用光刻刻蚀工艺对所述正面金属层进行刻蚀形成正面电极引出端子。