[发明专利]一种基于模拟退火/回火现场可编程门阵列布局的方法有效

专利信息
申请号: 201410074911.9 申请日: 2014-03-03
公开(公告)号: CN103914587B 公开(公告)日: 2017-01-25
发明(设计)人: 段振华;刘洁;黄伯虎;田聪;张南;王小兵 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 代理人: 汤东凤
地址: 710071 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于模拟退火/回火现场可编程门阵列布局的方法,采取混合模拟退火和模拟回火的方法。首先使用传统模拟退火方法,得到模拟退火所能找到的最好解current_best,并记录当解的接受率为44%时的温度temp44,建立从temp44到冰点温度的适宜的温度梯度{t1,t2,…,tm},然后根据该温度梯度开始模拟回火方法,在这个过程中如果碰到了比current_best更好的解,用该解替换current_best,最终得到的current_best即为需要的最优解。将本发明公开的基于模拟退火/回火现场可编程门阵列布局的方法应用于支持FPGA(Field Programmable Gate Array)现场可编程门阵列开发的EDA软件的布局工具,最终得到的布局结果稳定性好,同时能提高电路的质量,降低关键路径上的延时,改善最终的布线线长。
搜索关键词: 一种 基于 模拟 退火 回火 现场 可编程 门阵列 布局 方法
【主权项】:
一种基于模拟退火/回火现场可编程门阵列布局的方法,其特征在于,该基于模拟退火/回火现场可编程门阵列布局的方法包括以下步骤:第一步,给定一个描述现场可编程门阵列的网表文件和一个结构文件,使用模拟退火方法进行初始布局,将每个逻辑块CLB随机的分配到FPGA(Field Programmable Gate Array)现场可编程门阵列的一个坐标位置上;第二步,在初始布局的基础上,通过进行Nblocks次CLB的交换,计算得到模拟退火方法的初始温度,其中Nblocks是电路中CLB的个数;第三步,在给定的温度下,判断温度是否达到冰点,如果达到冰点,执行第五步;第四步,重复第三步直至接受新解的概率达到44%为止,记录当前的温度为temp44,并且保存当前的布局结果为current_best,执行第五步;第五步,将温度设置为0,进行局部优化搜索,并保存当前最优的布局结果,模拟退火布局方法结束;第六步,根据第五步的结果,将模拟回火方法的初始温度设置为temp44,初始布局设置为current_best;第七步,在给定的温度下,判断温度是否达到冰点,如果达到冰点,执行第九步;具体步骤为:步骤一,在当前温度下,根据TK<0.005·Cost/Nnets判断是否达到冰点,如果没有,执行步骤二,其中TK为当前温度,Cost为当前布局的成本花费,Nnets为电路中的线网个数;步骤二,随机选择一个CLB,在限定的范围内随机选择另一个CLB或者空余位置,然后进行交换,计算当前布局成本函数的改变量△C,如果△C<0,那么接受这个改变,否则以概率exp(‑△C/TK)接受;步骤三,重复步骤二Num_Move次,Num_Move理论上称为马可夫链长度,Num_Move=10·Nblocks1.33;步骤四,在当前温度TK和当前布局花费lastCost的基础上产生下一个温度Tnew;此时有三种选择:回火到上一温度Tprev、继续保持当前温度TK、下降到下一温度Tnext,其中Tprev在之前已经保存,Tnext由退火表确定;此时随机生成变量Skip的取值为K‑1或者K+1,其中生成K‑1的概率为a,生成K+1的概率为(1‑a),回火概率a取值在[0,0.5];计算概率P的公式如下,P=αSkipαKexp{lastCost×(1TSkip-1TK)×C}]]>最后以min(1,P)的概率跳转到下标为Skip的温度值;公式中的常量C和α是修正值,在具体应用中确定,应用于支持FPGA(Field Programmable Gate Array)现场可编程门阵列开发的EDA软件的布局工具中,常量C设定为回火的开始温度temp44,αK的计算公式如下,αK=exp{-averageCost×(1TK-1TK-1)×C}]]>其中averageCost为迭代过程中所有布局花费Cost的平均值;第八步,重复第七步直至温度达到冰点为止,执行第九步;第九步,将温度设置为0,进行局部优化搜索,并保存当前最优的布局结果,模拟回火布局方法结束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410074911.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top