[发明专利]一种永磁发电机及其电压调节器有效

专利信息
申请号: 201410075441.8 申请日: 2014-03-04
公开(公告)号: CN103780178A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 史立伟;张学义;陈祥菁 申请(专利权)人: 山东理工大学
主分类号: H02P9/48 分类号: H02P9/48;H02J7/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 255086 山东省淄博*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种永磁发电机及其电压调节器,包括两组基准电路、两组采样电路、两组触发电路、两组整流电路和永磁发电机。高压触发电路和低压触发电路的目标稳压值和导通饱和程度不同,高压触发电路的稳压值高于低压触发电路;发电机的各相电枢绕组为两股并绕后再将两股分开串联,各相绕组的尾端接低压整流电路的晶闸管负极,各相绕组的首端串联二极管后接在一起作为正极,各相绕组的中点接高压整流电路。永磁发电机低速运行时利用低压整流电路对各相全部绕组对外整流输出,永磁发电机高速运行时利用高压整流电路对各相的一半绕组对外整流输出,由于高压整流电路所连接的电枢绕组匝数少,因此高速运行时电动势小,内阻也较小,可以实现永磁发电机输出电压的调节。
搜索关键词: 一种 永磁 发电机 及其 电压 调节器
【主权项】:
一种永磁发电机及其电压调节器,包括高压基准电路、低压基准电路、高压采样电路、低压采样电路、高压触发电路、低压触发电路、高压整流电路、低压整流电路和永磁发电机,其特征在于:所述高压基准电路由第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和第一电容(C1)组成,第一电阻(R1)和第二电阻(R2)串联后分别接在正极和负极上,高压电容(C1)与第一电阻(R1)并联;所述低压基准电路由第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)和第一电容(C2)组成,第三电阻(R3)和第四电阻(R4)串联后分别接在正极和负极上,负极接地,第二电容(C2)与第五电阻(R5)串联后再连接在第三电阻(R3)的两端;所述高压采样电路由第一稳压管(DW1)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)和第一三极管(T1)组成,第一稳压管(DW1)和第六电阻(R6)串联后接在第一三极管(T1)的基极上,第一稳压管(DW1)正极接第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的接点,第一三极管(T1)的发射极接在正极上,第一三极管(T1)的集电极通过第七电阻(R7)接地;低压采样电路由第二稳压管(DW2)、第九电阻(R9)、第十电阻(R10)和第三三极管(T3)组成,第二稳压管(DW2)和第九电阻(R9)串联后接在第三三极管(T3)的基极上,第二稳压管(DW2)的正极接第三电阻(R3)和第四电阻(R4)的接点,第三三极管(T3)的发射极接在正极上,第三三极管(T3)的集电极通过第十电阻(R10)接地;所述高压触发电路由第二三极管(T2)、第八电阻(R8)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)组成,第二三极管(T2)的发射极接在正极上,第二三极管(T2)的集电极通过第八电阻(R8)接第一二极管(D1)和第二二极管(D2)的正极,第一二极管(D1)和第二二极管(D2)的负极分别接第三晶闸管(Q3)和第四晶闸管(Q4)的控制极;低压触发电路由第四三极管(T4)、第十一电阻(R11)、第三二极管(D3)和第四二极管(D4)组成,第四三极管(T4)的发射极接在正极上,第四三极管(T4)的集电极通过第十一电阻(R11)接第三二极管(D3)和第四二极管(D4)的正极,第三二极管(D3)和第四二极管(D4)的负极分别接第一晶闸管(Q1)和第二晶闸管(Q2)的控制极;所述永磁发电机有两相电枢绕组,各相电枢绕组为两股并绕后再将两股分开串联组成一相,A相绕组的尾端接第一晶闸管(Q1)的负极和第五二极管(D5)的正极,B相绕组的尾端接第二晶闸管(Q2)的负极和第七二极管(D7)的正极,A相绕组和B相绕组的首端分别接第六二极管(D6)和第八二极管(D8)的正极,第五二极管(D5)、第六二极管(D6)、第七二极管(D7)和第八二极管(D8)的负极接正极,A相绕组和B相绕组的中点分别接第三晶闸管(Q3)和第四晶闸管(Q4)的负极;所述高压整流电路由第三晶闸管(Q3)和第四晶闸管(Q4)组成,所述低压整流电路由第一晶闸管(Q1)和第二晶闸管(Q2)组成,第一晶闸管(Q1)、第二晶闸管(Q2)、第三晶闸管(Q3)和第四晶闸管(Q4)的正极接地; 通过采用不同的基准电路阻值或不同稳压值的稳压二极管,使得低压触发电路的目标稳压值比高压触发电路的目标稳压值稍低,高压触发电路的目标稳压值为蓄电池正常的充电电压,低压触发电路的目标稳压值小于蓄电池正常的充电电压,但大于蓄电池静止电动势;第六电阻(R6)的阻值大于第九电阻(R9)的阻值,第七电阻(R7)的阻值小于第十电阻(R10)的阻值,第二三极管(T2)饱和导通的程度大于第四三极管(T4)。
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