[发明专利]一种碳化硅/硼化钨复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410075532.1 申请日: 2014-03-03
公开(公告)号: CN103771859A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 陈继新;赵国瑞;孙连东;苗磊;李美栓;周延春 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B35/622
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及陶瓷基复合材料领域,具体为一种碳化硅/硼化钨复合材料及其制备方法。该复合材料由钨二硼五增强相和碳化硅基体组成,钨二硼五增强相均匀弥散地分布于碳化硅基体中。采用碳化钨粉、碳化硼粉和硅粉,或者碳化钨粉、碳化硼粉、硅粉和碳化硅粉、钨二硼五粉之一种或两种为原料,经物理机械方法混合8~24小时,装入石墨模具中冷压成型,施加的压强为10~20MPa;在通有惰性气体保护气氛的热压炉内烧结,升温速率为1~20℃/分钟,烧结温度为1600~2000℃、烧结时间为0.5~3小时、烧结压强为10~300MPa。采用本发明方法能够实现原位合成制备碳化硅/硼化钨复合材料,其最佳性能为:硬度30GPa,抗弯强度达到900MPa,断裂韧性为6.1MPa·m1/2,电导率为6×105Ω-1m-1
搜索关键词: 一种 碳化硅 硼化钨 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种碳化硅/硼化钨复合材料,其特征在于:该复合材料由钨二硼五增强相和碳化硅基体组成,钨二硼五增强相均匀弥散地分布于碳化硅基体中,其中碳化硅与钨二硼五的摩尔比为(10~20):(2~8)。
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