[发明专利]半导体存储装置及其冗余方法有效
申请号: | 201410076287.6 | 申请日: | 2014-03-04 |
公开(公告)号: | CN104900269B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 中川治信 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张然,李昕巍 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体存储装置以及其冗余方法。半导体存储装置例如是闪存存储器,包括存储阵列,包括存储区域及具有冗余元件的冗余存储区域;页面缓冲器;列选择电路;ECC电路;及I/O缓冲器。列选择电路根据冗余信息,将由高速缓冲寄存器保持的核心数据中所含的缺陷数据转换为由冗余高速缓冲寄存器保持的冗余数据,将经过转换的数据提供给ECC电路,且将经ECC电路错误订正过的数据作为核心数据再次写入至高速缓冲寄存器。在此期间,列选择电路保持在高速缓冲寄存器中的已错误订正的数据输出至I/O缓冲器。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 及其 冗余 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体存储装置,其特征在于包括:存储阵列,包括具有多个存储元件的存储区域及具有多个冗余存储元件的冗余存储区域;行选择机构,选择所述存储阵列的行;冗余信息存储部,存储所述存储区域的所述存储元件中所含的缺陷元件的冗余信息;数据保持机构,连接于所述存储阵列的位线,可保持由所述行选择机构选择出的所述行中的所述存储区域的所述存储元件中所存储的核心数据、及所述冗余存储区域的所述冗余存储元件中所存储的冗余数据;列选择机构,选择所述数据保持机构所保持的所述核心数据及所述冗余数据;以及错误订正机构,对由所述列选择机构选择出的数据进行错误订正;且所述列选择机构包括转换电路,所述转换电路根据所述冗余信息,将所述核心数据中所含的缺陷数据转换为所述冗余数据,将经过转换的数据提供给所述错误订正机构,且将经所述错误订正机构错误订正过的数据作为所述核心数据提供给所述数据保持机构。
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