[发明专利]在α-Al2O3陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法在审
申请号: | 201410076575.1 | 申请日: | 2014-03-04 |
公开(公告)号: | CN104892879A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 高艳安;鲁辉;冷文光;郝丹丹;张晋娜 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | C08G12/40 | 分类号: | C08G12/40;C08G12/32 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 马驰 |
地址: | 116023 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于席夫碱反应在α-Al2O3陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法。首先需要用3-氨丙基三乙氧基硅烷对α-Al2O3表面进行化学接枝改性,之后将其与三聚氰胺、对苯二甲醛混合,以二甲基亚砜为溶剂,通氩气保护,经高温反应在α-Al2O3基材表面原位生长SNW薄膜。选用的α-Al2O3陶瓷基材廉价易得;改性过程和后续合成过程简单方便,薄膜生长均匀;克服了微孔聚合物难以加工的障碍,同时高含氮量的SNW薄膜与多孔α-Al2O3陶瓷基材的强-强联合将更有利于提高复合器件的气体吸附、催化等性能。 | ||
搜索关键词: | al sub 陶瓷 表面 生长 微孔 聚合物 snw 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
在α‑Al2O3陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法,是一种基于席夫碱反应在α‑Al2O3陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法,其特征在于:1)首先对α‑Al2O3表面进行化学修饰改性,使改性后的基材表面有氨基存在;2)经高温反应在α‑Al2O3基材表面原位生长SNW薄膜。
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