[发明专利]一种新型三元压电晶体单相原料的制备方法

摘要

本发明公开了一种新型三元压电晶体单相原料的制备方法，包括以下步骤：采用分步法制备出IN粉料和MN粉料，然后按照PIMNT的化学计量比，准确称取PbO、IN、MN和TiO₂粉料，球磨后压制成块状，然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性，合成过程简单，可明显改善晶体原料对Pt坩埚的腐蚀，大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。

主权项

一种新型三元压电晶体单相原料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）按照InNbO₄的化学计量比，准确称取In₂O₃和Nb₂O₅初始原料，放入球磨罐中，球磨混合均匀后，经过烘干和筛料，得到IN均匀混合粉料；再将IN均匀混合粉料压制成块状，在850～1150℃下烧结3～5小时，降温后将烧结后块体进行粉碎和过筛，得到IN粉料；2）按照MgNb₂O₆的化学计量比，准确称取MgO和Nb₂O₅初始原料，放入球磨罐中，球磨混合均匀后，经过烘干和筛料，得到MN均匀混合粉料；再将MN均匀混合粉料压制成块状，在850～1150℃下烧结3～5小时，降温后将烧结后块体进行粉碎和过筛，得到MN粉料；3）按照xPIN‑yPMN‑zPT的化学计量比，准确称取PbO、IN、MN和TiO₂粉料，放入球磨罐中，球磨混合均匀后，经过烘干和筛料，得到PIMNT混合粉料，将混合粉料压制成块状；然后低温烧结后粉碎和过筛，得到PIMNT晶体粉状原料，或者高温烧结，得到块状PIMNT晶体原料；步骤3）中P指Pb，IN为IN粉料，MN为MN粉料，T为Ti；0<x≤0.7，0<y≤0.7，z＝1‑x‑y。