[发明专利]一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路在审
| 申请号： | 201410076864.1 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103904889A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 唐飞球 | 申请（专利权）人： | 东莞博用电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周详 |
| 地址： | 523808 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、高压PMOS管的源极均与高压端连接，上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，NMOS管的栅极与低压控制模块的输出端连接。其中，本发明只需要1个NMOS管、上拉电阻、限流电阻和齐纳二极管单元，即可达到LEVELSHIFT目的，且省去额外的LEVELSHIFT电源，因此，本发明电路结构简单，而且，只使用了1个NMOS管，从而大大减小电路的占用面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 交流 驱动 led 高压 levelshift 电路 | ||
【主权项】：
一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于：包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；所述上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的源极均与高压端连接，所述上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的栅极与交流驱动LED电路的低压控制模块的输出端连接，所述NMOS管的源极与限流电阻一端连接，所述限流电阻另一端接地。
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