[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括在半导体衬底的介电层上，形成以掺碳的氧化硅为材料的第一硬掩模层，掺碳的氧化硅形成工艺中，不会形成氧气等离子气体，因而避免氧气等离子气体造成介电层损伤；在第一掩模层上形成以掺碳和氟的氧化硅为材料的第二硬掩模层，以第一硬掩模层和第二硬掩模层为整体作为硬掩模层，并以硬掩模层内的硬掩模图案为掩模刻蚀介电层，在介电层内形成开孔；之后采用清洗溶液清洗开孔。其中，清洗第二硬掩模层的速率大于清洗第一硬掩模层的速率，从而可有效扩大硬掩模层以及介电层内的开孔的开口，在后续向介电层的开孔内填充金属材料过程中，便于金属材料进入介电层的开孔内，优化开孔内的金属的结构形态。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于：包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层；在所述介电层上形成第一硬掩模层，所述第一硬掩模层的材料为掺碳的氧化硅；在所述第一硬掩模层上形成第二硬掩模层，所述第二硬掩模层的材料为掺碳和氟的氧化硅；刻蚀所述第二硬掩模层和第一硬掩模层，形成硬掩模图案；沿所述硬掩模图案刻蚀所述介电层，在所述介电层内形成开孔；采用清洗溶液清洗所述开孔，所述清洗溶液清洗所述第二硬掩模层的速率大于清洗第一硬掩模层的速率。