[发明专利]栅极工艺的监测版图及监测方法

摘要

一种栅极工艺的监测版图及监测方法，其中，栅极工艺的监测版图包括第一监测版图和第二监测版图，第一监测版图包括第一衬底；第一初始栅极；覆盖第一初始栅极表面的第一掩膜层；覆盖第一掩膜层表面的第一图形转移层；覆盖第一图形转移层表面的具有第一图形的第一光刻胶层；第二监测版图包括第二衬底；第二初始栅极；位于第二初始栅极表面的具有第二图形的第二掩膜层；覆盖第二掩膜层表面、以及暴露出的第二初始栅极表面的第二图形转移层；覆盖第二图形转移层表面的具有第三图形的第二光刻胶层。本发明既能获取栅极工艺的ADI监测结果又能获取AEI监测结果，通过ADI监测结果和AEI监测结果及时调整栅极工艺，提高半导体生产良率。

主权项

一种栅极工艺的监测方法，其特征在于，包括：提供第一监测版图和第二监测版图；所述第一监测版图包括：第一衬底；覆盖于所述第一衬底表面的第一初始栅极；覆盖于所述第一初始栅极表面的第一掩膜层；覆盖于所述第一掩膜层表面的第一图形转移层；覆盖于第一图形转移层表面的具有第一图形的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层具有第一线宽和第一间隔；所述第二监测版图包括：第二衬底；覆盖于所述第二衬底表面的第二初始栅极；位于所述第二初始栅极表面的具有第二图形的第二掩膜层，所述第二掩膜层具有第二线宽和第二间隔；覆盖于所述第二掩膜层表面、以及暴露出的第二初始栅极表面的第二图形转移层；覆盖于所述第二图形转移层表面的具有第三图形的第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有第三线宽和第三间隔；提供第一监测版图，采用光学测量技术获取第一光刻胶层的显影后监测数据，作为判断栅极工艺是否符合工艺标准的参考依据；提供第二监测版图，采用光学测量技术获取第二光刻胶层的显影后监测数据，作为判断栅极工艺是否符合工艺标准的参考依据；以第二光刻胶层为掩膜，依次刻蚀第二图形转移层、第二掩膜层、以及第二初始栅极，形成栅极；提供第二监测版图，采用光学测量技术获取栅极的刻蚀后监测数据，作为判断栅极工艺是否符合工艺标准的参考依据；若形成的栅极与工艺标准之间具有偏差，则结合参考第一监测版图的显影后监测结果、第二监测版图的显影后监测结果，判断是光刻的曝光显影工艺出现偏差还是刻蚀工艺出现偏差。