[发明专利]一种相变存储器单元及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410077462.3 申请日: 2014-03-04
公开(公告)号: CN103794723A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 饶峰;丁科元;夏梦娇;宋志棠 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种相变存储器单元及其制备方法,所述的相变存储器单元的存储介质层是由SbxTe1-x层和TiyTe1-y层交替堆叠组成的超晶格薄膜结构,形成稳定的层状(SbxTe1-x)-(TiyTe1-y)相变材料。其中0.4≤x≤0.8,0.33≤y≤0.56。SbxTe1-x层及TiyTe1-y层的厚度介于1nm~10nm之间。该种方法制备出的超晶格(SbxTe1-x)-(TiyTe1-y)相变材料具有和传统Ge-Sb-Te相变材料完全不同的相变机理,因此获得的相变存储器件具有更低功耗、更高的相变速、更高的保持力、更长寿命等优点。
搜索关键词: 一种 相变 存储器 单元 及其 制备 方法
【主权项】:
一种相变存储器单元,其包括相变材料层,其特征在于,所述相变材料层是由单层相变材料SbxTe1‑x层和单层化合物TiyTe1‑y层交替垂直堆叠生长而形成的相变超晶格薄膜结构,其中,0.4≤x≤0.8,0.33≤y≤0.56。
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