[发明专利]存储器自动检错和容错电路及控制方法有效
申请号: | 201410077586.1 | 申请日: | 2014-03-05 |
公开(公告)号: | CN103839591A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 廖裕民 | 申请(专利权)人: | 福州瑞芯微电子有限公司 |
主分类号: | G11C29/10 | 分类号: | G11C29/10 |
代理公司: | 福州市仓山区景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;吕元辉 |
地址: | 350000 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供一种存储器自动检错和容错电路,包括自激励产生测试单元、错误地址判断单元、失效地址映射存储单元、地址译码选择单元和备份存储单元。自激励产生测试单元在芯片上电时自动测试主存储单元产生数据结果,错误地址判断单元根据数据结果确定主存储单元中的失效地址,失效地址映射存储单元存储失效地址及失效地址和备份存储单元地址的映射关系。当发起访问请求时地址译码选择单元判断访问地址与失效地址映射存储单元存储的失效地址一致时确定失效地址和备份存储单元地址的映射关系,把访问指向备份存储单元中对应失效地址的备份存储地址。本发明还提供一种相应的方法,利用本发明实现芯片对存储器损坏的自检测和自动容错机制。 | ||
搜索关键词: | 存储器 自动 检错 容错 电路 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种存储器自动检错和容错电路,用于响应访问发起端发起的访问请求对主存储单元的进行地址访问,其特征在于,所述电路包括:备份存储单元,用于作为所述主存储单元中失效地址的后备存储空间;自激励产生测试单元,用于在待检错芯片上电时自动产生对所述主存储单元的测试激励,对所述主存储单元进行测试,所述激励内容为对所有地址线进行一次写操作,对每个地址都写入一个不一样的特定值,然后再对所有地址进行一次读操作,并产生相应的数据结果;错误地址判断单元,用于根据所述数据结果判断所述主存储单元中的每个地址是否都可以进行正确地读写,并当发现地址读写错误时确定所述地址为失效地址;失效地址映射存储单元,用于存储由所述错误地址判断单元确定的主存储单元中的失效地址,以及存储失效地址和备份存储单元地址的映射关系;以及地址译码选择单元,用于当所述访问发起端发起一存储器访问请求时判断所述访问发起端的访问地址是否和失效地址映射存储单元存储的失效地址一致,并当确定一致时从所述失效地址映射存储单元中查询得到失效地址和备份存储单元地址的映射关系,从而把访问指向所述备份存储单元中对应失效地址的备份存储地址进行访问。
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