[发明专利]一种应用于集成电路的高压取电电路在审
| 申请号： | 201410077741.X | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103887969A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘成军 | 申请（专利权）人： | 东莞博用电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周详 |
| 地址： | 523808 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于集成电路的高压取电电路，其包括场效应管J0、用于限流的电阻R、用于稳压的齐纳二极管Z0、MOS管N0、用于稳压的电容C、输出电压端Vreg；场效应管J0漏极与高压VPP连接，电阻R另一端、齐纳二极管Z0阴极均与MOS管N0栅极连接，输出电压端Vreg、电容C正极均与MOS管N0源极连接，场效应管J0栅极、齐纳二极管Z0阳极、电容C负极、MOS管N0衬底电极均接地GND。其中，本发明只需要场效应管J0、电阻R、齐纳二极管Z0、MOS管N0、电容C等几个简单的电子元器件构成的电路，即实现高压取电，保持输出电压恒定，电路结构简单、实用，而且电路功耗较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 集成电路 高压 电路 | ||
【主权项】：
一种应用于集成电路的高压取电电路，其特征在于：包括场效应管（J0）、用于限流的电阻（R）、用于稳压的齐纳二极管（Z0）、MOS管（N0）、用于稳压的电容（C）、输出电压端（Vreg）；所述场效应管（J0）漏极与高压（VPP）连接，所述电阻（R）一端、MOS管（N0）漏极均与场效应管（J0）源极连接，所述电阻（R）另一端、齐纳二极管（Z0）阴极均与MOS管（N0）栅极连接，所述输出电压端（Vreg）、电容（C）正极均与MOS管（N0）源极连接，所述场效应管（J0）栅极、齐纳二极管（Z0）阳极、电容（C）负极、MOS管（N0）衬底电极均接地（GND）。
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